La arquitectura vertical del dispositivo demuestra el camino para escalar más allá del nanosheet. Tiene como objetivo permitir una reducción de energía del 85% en comparación con los transistores finFET escalados. Desarrollado en el Albany Nanotech Complex en Nueva York, hogar del ecosistema líder a nivel mundial en investigación y creación de prototipos de semiconductores. Hoy, IBM y Samsung Electronics anunciaron un avance en el diseño de semiconductores utilizando una nueva arquitectura de transistor vertical que demuestra una ruta para escalar más allá del nanosheet y tiene el potencial de…
Leer másIBM y Samsung presentan un avance en semiconductores que desafía el diseño convencional
